Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • 1. Kirjat ja opinnäytteet
  • Opinnäytetöiden tiivistelmät (ei kokotekstiä)
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • 1. Kirjat ja opinnäytteet
  • Opinnäytetöiden tiivistelmät (ei kokotekstiä)
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

AlGaN-puolijohdepinnan ominaisuuksia

Voutilainen, Viivi (2018-03-21)

AlGaN-puolijohdepinnan ominaisuuksia

Voutilainen, Viivi
(21.03.2018)

Tätä artikkelia/julkaisua ei ole tallennettu UTUPubiin. Julkaisun tiedoissa voi kuitenkin olla linkki toisaalle tallennettuun artikkeliin / julkaisuun.

Turun yliopisto
Näytä kaikki kuvailutiedot
Tiivistelmä
Tässä Pro Gradu -tutkielmassa tutkittiin alumiinigalliumnitridi- (AlGaN) puolijohdepinnan ominaisuuksia. Päätavoitteena oli selvittää, miten kemiallinen vetykloridipohjainen (HCl) etsaus vaikuttaa AlGaN-pinnan kemiallisiin ja sähköisiin ominaisuuksiin. Puolijohdepinnan hyvä puhdistus ja muokkaus ovat avainasemassa pyrittäessä kohti ideaalisempia reagoimattomia sekä kidevirheettömiä pintoja. AlGaN-pinnan ominaisuuksien hyvä tunteminen mahdollistaa stabiilimpien ja pienen resistanssin omaavien kontaktien luomisen sovelluskohteissa, kuten AlGaN/GaN heteroliitokseen pohjautuvissa HEMT-transistoreissa.

Tutkimuksessa käytettiin kahta samanlaista kaupallista Mg-seostettua (p-tyyppistä) Al0,5Ga0,5N-näytettä, joista toiselle suoritettiin etsauskäsittely typpipussissa 3M HCl-liuoksessa. Näytteille suoritettiin samanlaiset lämpö- ja ammoniakkikäsittelyt ultrasuurtyhjiöolosuhteissa Turun Yliopiston materiaalitutkimuksen laboratorion mittauslaitteistoilla, jotta tulokset olisivat vertailukelpoisia. Pinnan ominaisuuksia tutkittiin matalaenergisellä elektronidiffraktiolla (LEED) ja röntgenfotoelektronispektroskopialla (XPS). Lisäksi näytteen pinnalle kasvatettiin atomikerroskasvatuksella (ALD) noin 3 nm:n paksuinen alumiinioksidikalvo (Al2O3), minkä jälkeen näytteelle tehtiin fotoluminesenssimittaus (PL).

Tutkimuksessa havaittiin HCl-käsitellyllä näytteellä huomattava parannus PL-intensiteetissä. Lisäksi havaittiin etsauskäsittelyn pienentävän hapettuneen Ga 3d piikin komponentin intensiteettiä XPS-mittauksissa. Tulokset viittaavat onnistuneeseen etsauskäsittelyyn, joka pinnan kidevirheitä poistamalla saa aikaan materiaalin sähköisten ominaisuuksien parantumisen. Etsauksen kehittäminen ja parhaan tavan löytäminen mahdollistavat tulevaisuudessa AlGaN-materiaalia sisältävien sovellusten kehittämisen yhä korkeammalle tasolle.
Kokoelmat
  • Opinnäytetöiden tiivistelmät (ei kokotekstiä) [6013]

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetAsiasanatTiedekuntaLaitosOppiaineYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste