Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • Turun yliopisto
  • Pro gradu -tutkielmat ja diplomityöt sekä syventävien opintojen opinnäytetyöt (kokotekstit)
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • Turun yliopisto
  • Pro gradu -tutkielmat ja diplomityöt sekä syventävien opintojen opinnäytetyöt (kokotekstit)
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Manufacture and Analysis of N-type Semiconductor Layer and Perovskite Layer in Hybrid Perovskite Solar Cell

Peng, Bo (2019-09-27)

 
Tweet refworks
 
Katso/Avaa
Bo_Peng_Thesis.pdf (5.969Mb)
Lataukset: 

avoin
Peng, Bo
27.09.2019
Julkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on:
http://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2019101532860
Tiivistelmä
This thesis work describes the experiments about building the first two layers of MethylAmmonium Lead Iodide perovskite solar cell and the conclusions made upon it. Different methods were used to get the optimized results. Obtained films were analyzed qualitatively by IR and Raman spectroscopy. Electrochemistry and spin coating are introduced into the experiments and showed a good result. Repeatable and stable layers are able to be obtained by detailed manufacture methods.
Kokoelmat
  • Pro gradu -tutkielmat ja diplomityöt sekä syventävien opintojen opinnäytetyöt (kokotekstit) [4525]

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Lähetä palautetta | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetAsiasanatTiedekuntaLaitosOppiaineYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Lähetä palautetta | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste