Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • 1. Kirjat ja opinnäytteet
  • Pro gradu -tutkielmat ja diplomityöt sekä syventävien opintojen opinnäytetyöt (kokotekstit)
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • 1. Kirjat ja opinnäytteet
  • Pro gradu -tutkielmat ja diplomityöt sekä syventävien opintojen opinnäytetyöt (kokotekstit)
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Monikiteisen piin sähköiset ominaisuudet ja kasvatuksen simulointi

Santonen, Mikael (2021-12-17)

Monikiteisen piin sähköiset ominaisuudet ja kasvatuksen simulointi

Santonen, Mikael
(17.12.2021)
Katso/Avaa
Santonen_Mikael_opinnayte.pdf (2.155Mb)
Lataukset: 

Julkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.
avoin
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on:
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2021122162311
Tiivistelmä
Monikiteinen pii on materiaalina monipuolinen ja laajalti käytössä erinäisissä puolijohdesovelluksissa. Varsinkin mikropiireissä ja aurinkokennoissa monikiteinen pii on tärkeä materiaali. Monikiteistä piitä hyödyntävät sovellukset ovat edelleen vahvasti kehittyvä ala. Tämän johdosta monikiteisen piin ominaisuuksien ymmärtäminen ja ymmärryksen kehittäminen on oleellista.
Monikiteisen piin sähköiset ominaisuudet vaihtelevat laajalti riippuen erinäisistä tekijöistä kuten rakeiden koosta, raerajatyypeistä sekä piristyksestä. Tämän johdosta on oleellista ymmärtää monikiteisen rakenteen sähköisiä ominaisuuksia määrittäviä tekijöitä. Toisaalta kasvuprosessilla ja sen parametreilla on suuri vaikutus saatuun rakenteeseen, joten on oleellista myös ymmärtää kasvuun vaikuttavat tekijät, jolloin voidaan kontrolloida rakennetta ja täten myös monikiteisen piin sähköisiä ominaisuuksia.
Monikiteisen piin sähköisiä ominaisuuksia ja niihin vaikuttavia tekijöitä tarkasteltiin kirjallisuustarkastelulla ja varauksenkuljettajien kulkuun raeraja-alueella esitettiin malli, jonka pohjalta voidaan laskea esimerkiksi raerajan ominaisvastus.
Kasvun parametrien vaikutusta puolestaan tutkittiin semiklassisilla molekyylidynaamisilla simulaatioilla käyttäen LAMMPS-ohjelmistoa. Ohjelmistolla luotiin fysikaalista kasvuprosessia mallintava simulaatio, jolla tarkasteltiin eri parametrien kuten lämpötilan, atomivuon ja sen atomien nopeuden vaikutusta kasvuun.
Simulaatiotuloksista arvioitiin rakeiden ja raerajojen keskimääräisiä paksuuksia. Näiden pohjalta arvioitiin esitetyllä mallilla simuloitujen rakenteiden ominaisvastuksia.
Kokoelmat
  • Pro gradu -tutkielmat ja diplomityöt sekä syventävien opintojen opinnäytetyöt (kokotekstit) [9131]

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetAsiasanatTiedekuntaLaitosOppiaineYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste