Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Single-Quantum-Dot Heat Valve

N. Lo Gullo; H. Courtois; N. W. Talarico; C. B. Winkelmann; B. Dutta; D. Majidi

Single-Quantum-Dot Heat Valve

N. Lo Gullo
H. Courtois
N. W. Talarico
C. B. Winkelmann
B. Dutta
D. Majidi
Katso/Avaa
Final Draft (4.655Mb)
Lataukset: 

AMER PHYSICAL SOC
doi:10.1103/PhysRevLett.125.237701
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on:
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2022012710559
Tiivistelmä
We demonstrate gate control of electronic heat flow in a thermally biased single-quantum-dot junction. Electron temperature maps taken in the immediate vicinity of the junction, as a function of the gate and bias voltages applied to the device, reveal clearly defined Coulomb diamond patterns that indicate a maximum heat transfer at the charge degeneracy point. The nontrivial bias and gate dependence of this heat valve results from the quantum nature of the dot at the heart of device and its strong coupling to leads.
Kokoelmat
  • Rinnakkaistallenteet [19207]

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetAsiasanatTiedekuntaLaitosOppiaineYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste