Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Transport properties of resistive switching in Ag/Pr0.6Ca0.4MnO3/Al thin film structures

Lähteenlahti V.; Paturi P.; Schulman A.; Huhtinen H.

Transport properties of resistive switching in Ag/Pr0.6Ca0.4MnO3/Al thin film structures

Lähteenlahti V.
Paturi P.
Schulman A.
Huhtinen H.
Katso/Avaa
Publisher's PDF (1.445Mb)
Lataukset: 

ELSEVIER SCIENCE SA
doi:10.1016/j.jallcom.2019.01.279
URI
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925838819303044
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on:
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2021042822247
Tiivistelmä
Thin films of Pr0.6Ca0.4MnO3 were prepared by pulsed laser deposition with an asymmetric pair of Ag and Al metal electrodes in order to study their resistive switching properties. The devices exhibited stable voltage controlled bipolar switching which proved to be reliable and non-volatile. The resistive states show a well-defined dependence on the write voltage, which was used to achieve several intermediate states, indicating that the devices could be utilized in hardware implementations of neuromorphic computing. The switching mechanism was attributed to the electric-field assisted migration of oxygen vacancies at the Al-electrode interface, resulting in a formation and modulation of a rectifying interfacial AIO(x) layer. The current-voltage characteristics were analyzed by means of the power exponent representation, which hinted to a device state dependent interplay of bulk-limited Poole-Frenkel conduction and interface-limited Schottky conduction. A deeper understanding of resistive switching characteristics in Ag/Pr0.6Ca0.4MnO3/Al will lead towards further advances in manganite-based neuromorphic circuits. (C) 2019 The Authors. Published by Elsevier B.V.
Kokoelmat
  • Rinnakkaistallenteet [19207]

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetAsiasanatTiedekuntaLaitosOppiaineYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste