Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Atomic-Scale Modification of Oxidation Phenomena on the Ge(100) Surface by Si Alloying

Punkkinen Risto; Hedman Hannu-Pekka; Lehtiö Juha-Pekka; Punkkinen Marko P. J.; Sorokina Svetlana V.; Jahanshah Rad Zahra; Laukkanen Pekka; Kokko Kalevi; Kuzmin Mikhail

Atomic-Scale Modification of Oxidation Phenomena on the Ge(100) Surface by Si Alloying

Punkkinen Risto
Hedman Hannu-Pekka
Lehtiö Juha-Pekka
Punkkinen Marko P. J.
Sorokina Svetlana V.
Jahanshah Rad Zahra
Laukkanen Pekka
Kokko Kalevi
Kuzmin Mikhail
Katso/Avaa
Publisher's PDF (8.529Mb)
Lataukset: 

American Chemical Society
doi:10.1021/acsmaterialsau.1c00039
URI
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsmaterialsau.1c00039
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on:
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2022021519230
Tiivistelmä

Properties of Ge oxides are significantly different from those of widely used Si oxides. For example, the instability of GeOx at device junctions causes electronic defect levels that degrade the performance of Ge-containing devices (e.g., transistors and infrared detectors). Therefore, the passivating Si layers have been commonly used at Ge interfaces to reduce the effects of Ge oxide instability and mimic the successful strategy of Si oxidation. To contribute to the atomic-scale knowledge and control of oxidation of such Si-alloyed Ge interfaces (O/Si/Ge), we present a synchrotron radiation core-level study of O/Si/Ge, which is combined with scanning probe microscopy measurements. The oxidation processes and electronic properties of O/Si/Ge(100) are examined as functions of Si amount and oxidation doses. In particular, the incorporation of Si into Ge is shown to cause the strengthening of Ge−O bonds and the increase of incorporated oxygen amount in oxide/Ge junctions, supporting that the method is useful to decrease the defect-level densities.

Kokoelmat
  • Rinnakkaistallenteet [19207]

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetAsiasanatTiedekuntaLaitosOppiaineYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste