Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Atomic and electronic structures of Si/Ge(100) interfaces studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy

Laukkanen Pekka; Punkkinen Marko PJ; Sorokina SV; Kuzmin Mikhail; Lehtiö Juha-Pekka; Kokko Kalevi; Jahanshah Rad Zahra

Atomic and electronic structures of Si/Ge(100) interfaces studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy

Laukkanen Pekka
Punkkinen Marko PJ
Sorokina SV
Kuzmin Mikhail
Lehtiö Juha-Pekka
Kokko Kalevi
Jahanshah Rad Zahra
Katso/Avaa
Publisher's PDF (3.087Mb)
Lataukset: 

AMER PHYSICAL SOC
doi:10.1103/PhysRevB.103.195312
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on:
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2021093048817
Tiivistelmä
The close similarity of silicon and germanium, isoelectronic group-IV elements, makes the integration of Ge layers on Si substrates suitable for technology development, but the atomic and electronic structures of Si1-xGex surfaces are still an open issue, in particular, for the alloy systems where Si is deposited on the Ge substrate. In this study, utilizing low-energy electron diffraction, scanning tunneling microscopy, and photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation, we demonstrate that the formation mechanisms of the Si-on-Ge structures are controlled by two interface phenomena, namely Si indiffusion and Ge segregation on top of this surface. Employing these phenomena and controlling the Si quantity, one can synthesize the well-defined crystalline Ge-(2 x 1)/Si1-xGex/Ge(100) stacks where the number of Si atoms at the host Ge lattice sites can be tuned. Using the obtained data on the atomic and electronic structures of such systems, we also propose a method for interface engineering of Ge/Si/Ge stacks with tailored properties as promising templates for growing the device junctions.
Kokoelmat
  • Rinnakkaistallenteet [19207]

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetAsiasanatTiedekuntaLaitosOppiaineYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste