Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • 3. UTUCris-artikkelit
  • Rinnakkaistallenteet
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Strain-Induced Domain Structure and Its Impact on Magnetic and Transport Properties of Gd0.6Ca0.4MnO3 Thin Films

Huhtinen Hannu; Rivasto Elmeri; Beiranvand Azar; Paturi Petriina

Strain-Induced Domain Structure and Its Impact on Magnetic and Transport Properties of Gd0.6Ca0.4MnO3 Thin Films

Huhtinen Hannu
Rivasto Elmeri
Beiranvand Azar
Paturi Petriina
Katso/Avaa
Publisher's PDF (8.507Mb)
Lataukset: 

AMER CHEMICAL SOC
doi:10.1021/acsomega.1c04904
URI
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsomega.1c04904
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on:
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2022012711089
Tiivistelmä

The evolution of lattice strain on crystallographic domain structures and magnetic properties of epitaxial low-bandwidth manganite Gd0.6Ca0.4MnO3 (GCMO) films have been studied with films on different substrates: SrTiO3, (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7, SrLaAlO3, and MgO. The X-ray diffraction data reveals that all of the films, except the films on MgO, are epitaxial and have an orthorhombic structure. Cross-sectional dependent microstructural defects. Large-enough tensile strain can increase oxygen vacancies concentration near the interface and can induce vacancies in the substrate. In addition, a second phase was observed in the films with tensile strain. However, compressive strain causes dislocations in the interface and a mosaic domain structure. On the other hand, the magnetic properties of the films, including saturation magnetization, coercive field, and transport property depend systematically on the substrate-induced strain. Based on these results, the choice of appropriate substrate is an important key to obtaining high-quality GCMO film, which can affect the functionality of potential device applications.

Kokoelmat
  • Rinnakkaistallenteet [19207]

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetAsiasanatTiedekuntaLaitosOppiaineYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy

Turun yliopiston kirjasto | Turun yliopisto
julkaisut@utu.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste