MOSFET-transistorin vaihtoehtoiset materiaalit ja tekniikat

Tietueen suppeat tiedot
dc.contributor.authorPelkonen, Pinja
dc.contributor.departmentfi=Tietotekniikan laitos|en=Department of Computing|
dc.contributor.facultyfi=Teknillinen tiedekunta|en=Faculty of Technology|
dc.contributor.studysubjectfi=Tietotekniikka|en=Information and Communication Technology|
dc.date.accessioned2024-04-16T21:31:56Z
dc.date.available2024-04-16T21:31:56Z
dc.date.issued2024-04-09
dc.description.abstractMOSFET eli metallioksidi-puolijohdekanavatransistori (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) on puolijohteisiin perustuva kytkimenä toimiva komponentti. Pii-MOSFET on ylivoimaisesti yleisin transistorityyppi. Nykyelektroniikassa käytetyt transistorit ovat lähes poikkeuksetta MOSFETeja. Transistorien kehittämisessä ollaan kiinnostuneita niiden tehokkuuden ja toimintaalueen parantamisesesta sekä tuotantokustannusten laskemisesta. Pii-MOSFETin kehittämistä rajoittavat sen materiaalit, rakenne ja tekniikka. MOSFETin toimintaaluetta on mahdollista parantaa vaihtoehtoisilla puolijohdemateriaaleilla. Transistorien tehokkuuden parantaminen ja tuotantokustannusten laskeminen kuitenkin vaatii transistorin rakenteen ja tekniikan muuttamista, koska MOSFETin teoreettinen maksimitehokkuus on likimain saavutettu. Tässä tutkielmassa perehdytään transistorien kehitykseen, MOSFETin toimintaperiaattesseen sekä esitellään joitakin tärkeimpiä MOSFETin vaihtoehtoisia puolijohdemateriaaleja ja kanavatransistorin tekniikoita.
dc.format.extent27
dc.identifier.olddbid193845
dc.identifier.oldhandle10024/176902
dc.identifier.urihttps://www.utupub.fi/handle/11111/1396
dc.identifier.urnURN:NBN:fi-fe2024041618003
dc.language.isofin
dc.rightsfi=Julkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.|en=This publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.|
dc.rights.accessrightsavoin
dc.source.identifierhttps://www.utupub.fi/handle/10024/176902
dc.subjectMOSFET, transistori, FinFET, Spin-FET, CNTFET, TFET, SET, GaNFET, SiC-FET
dc.titleMOSFET-transistorin vaihtoehtoiset materiaalit ja tekniikat
dc.type.ontasotfi=Kandidaatintutkielma|en=Bachelor's thesis|

Tiedostot

Näytetään 1 - 1 / 1
Name:
MOSFET-transistorin%20vaihtoehtoiset%20materiaalit%20ja%20tekniikat.pdf
Size:
1.4 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Lataa

Kokoelmat

Kandidaatin tutkielmat (kokotekstit)