AlGaN-puolijohdepinnan ominaisuuksia
| dc.contributor.author | Voutilainen, Viivi | |
| dc.contributor.department | fi=Fysiikan ja tähtitieteen laitos|en=Department of Physics and Astronomy| | - |
| dc.contributor.faculty | fi=Luonnontieteiden ja tekniikan tiedekunta|en=Faculty of Science and Engineering| | - |
| dc.contributor.studysubject | fi=Fysiikka|en=Physics| | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-21T08:38:56Z | |
| dc.date.available | 2018-03-21T08:38:56Z | |
| dc.date.issued | 2018-03-21 | |
| dc.description.abstract | Tässä Pro Gradu -tutkielmassa tutkittiin alumiinigalliumnitridi- (AlGaN) puolijohdepinnan ominaisuuksia. Päätavoitteena oli selvittää, miten kemiallinen vetykloridipohjainen (HCl) etsaus vaikuttaa AlGaN-pinnan kemiallisiin ja sähköisiin ominaisuuksiin. Puolijohdepinnan hyvä puhdistus ja muokkaus ovat avainasemassa pyrittäessä kohti ideaalisempia reagoimattomia sekä kidevirheettömiä pintoja. AlGaN-pinnan ominaisuuksien hyvä tunteminen mahdollistaa stabiilimpien ja pienen resistanssin omaavien kontaktien luomisen sovelluskohteissa, kuten AlGaN/GaN heteroliitokseen pohjautuvissa HEMT-transistoreissa. Tutkimuksessa käytettiin kahta samanlaista kaupallista Mg-seostettua (p-tyyppistä) Al0,5Ga0,5N-näytettä, joista toiselle suoritettiin etsauskäsittely typpipussissa 3M HCl-liuoksessa. Näytteille suoritettiin samanlaiset lämpö- ja ammoniakkikäsittelyt ultrasuurtyhjiöolosuhteissa Turun Yliopiston materiaalitutkimuksen laboratorion mittauslaitteistoilla, jotta tulokset olisivat vertailukelpoisia. Pinnan ominaisuuksia tutkittiin matalaenergisellä elektronidiffraktiolla (LEED) ja röntgenfotoelektronispektroskopialla (XPS). Lisäksi näytteen pinnalle kasvatettiin atomikerroskasvatuksella (ALD) noin 3 nm:n paksuinen alumiinioksidikalvo (Al2O3), minkä jälkeen näytteelle tehtiin fotoluminesenssimittaus (PL). Tutkimuksessa havaittiin HCl-käsitellyllä näytteellä huomattava parannus PL-intensiteetissä. Lisäksi havaittiin etsauskäsittelyn pienentävän hapettuneen Ga 3d piikin komponentin intensiteettiä XPS-mittauksissa. Tulokset viittaavat onnistuneeseen etsauskäsittelyyn, joka pinnan kidevirheitä poistamalla saa aikaan materiaalin sähköisten ominaisuuksien parantumisen. Etsauksen kehittäminen ja parhaan tavan löytäminen mahdollistavat tulevaisuudessa AlGaN-materiaalia sisältävien sovellusten kehittämisen yhä korkeammalle tasolle. | - |
| dc.format.content | abstractOnly | - |
| dc.identifier.olddbid | 161445 | |
| dc.identifier.oldhandle | 10024/144736 | |
| dc.identifier.uri | https://www.utupub.fi/handle/11111/4889 | |
| dc.language.iso | fin | - |
| dc.publisher | fi=Turun yliopisto|en=University of Turku| | - |
| dc.source.identifier | https://www.utupub.fi/handle/10024/144736 | |
| dc.title | AlGaN-puolijohdepinnan ominaisuuksia | - |
| dc.type.ontasot | fi=Pro gradu -tutkielma|en=Master's thesis| | - |