ALD:ll a kasvatettujen Al2O3, ZrO2 ja HfO2 kalvojen ominaisuudet eri kasvatusolosuhteissa
Tässä tietueessa ei ole tiedostoja, ainoastaan metadata.
Pysyvä osoite
Verkkojulkaisu
DOI
Tiivistelmä
Tässä Pro Gradu-tutkielmassa on kuvattu erilaisten metallioksidiohutkalvojen kasvatusmenetelmää ja -laitteistoa. Käytetty kasvatusmenetelmä on atomic layer deposition (ALD) ja käytetty laitteisto on itse rakennettu kokoonpano Turun Yliopiston Materiaalitieteiden laboratoriossa. Kasvatetut metallioksidikalvot olivat materiaaliltaan alumiinioksidia (Al2O3), zirkoniumoksidia (ZrO2) ja hafniumoksidia (HfO2).Tutkielmaa varten tehty tutkimus oli osa Innovaatiorahoituskeskus Tekesin rahoittamaa projektia COMNINT, joka keskittyi erilaisten rajapintarakenteiden parantamiseen ja kaupallistamiseen.
Tutkimuksen tarkoituksena oli optimoida kasvatusparametrit, kuten kasvatuslämp otila ja pulssiaika, mainituille metallioksidikalvoille siten, että kasvatetut kalvot olisivat hyvin tasaisia. Näytteiden karakterisointiin käytettyihin mittalaitteisiin kuului röntgenherätteinen fotoelektronispektroskopi (XPS), spektroskopinen ellipsometri, röntgenrefl
ektometri (XRR) ja atomivoimamikroskooppi (AFM). Parametrien optimointi on suoritettu muuttamalla niistä yhtä ja tarkastelemalla seurannutta muutosta mittaustuloksissa. Kaikki mittaustulokset on esitetty tutkielman liitekappaleessa.
Kuvaus
Siirretty Doriasta