MOSFET-transistorin vaihtoehtoiset materiaalit ja tekniikat
Pelkonen, Pinja (2024-04-09)
MOSFET-transistorin vaihtoehtoiset materiaalit ja tekniikat
(09.04.2024)
Lataukset:
Julkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.
avoin
Julkaisun pysyvä osoite on:
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2024041618003
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2024041618003
Tiivistelmä
MOSFET eli metallioksidi-puolijohdekanavatransistori (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) on puolijohteisiin perustuva kytkimenä toimiva komponentti. Pii-MOSFET on ylivoimaisesti yleisin transistorityyppi. Nykyelektroniikassa
käytetyt transistorit ovat lähes poikkeuksetta MOSFETeja.
Transistorien kehittämisessä ollaan kiinnostuneita niiden tehokkuuden ja toimintaalueen parantamisesesta sekä tuotantokustannusten laskemisesta. Pii-MOSFETin
kehittämistä rajoittavat sen materiaalit, rakenne ja tekniikka. MOSFETin toimintaaluetta on mahdollista parantaa vaihtoehtoisilla puolijohdemateriaaleilla. Transistorien tehokkuuden parantaminen ja tuotantokustannusten laskeminen kuitenkin vaatii transistorin rakenteen ja tekniikan muuttamista, koska MOSFETin teoreettinen
maksimitehokkuus on likimain saavutettu.
Tässä tutkielmassa perehdytään transistorien kehitykseen, MOSFETin toimintaperiaattesseen sekä esitellään joitakin tärkeimpiä MOSFETin vaihtoehtoisia puolijohdemateriaaleja ja kanavatransistorin tekniikoita.
käytetyt transistorit ovat lähes poikkeuksetta MOSFETeja.
Transistorien kehittämisessä ollaan kiinnostuneita niiden tehokkuuden ja toimintaalueen parantamisesesta sekä tuotantokustannusten laskemisesta. Pii-MOSFETin
kehittämistä rajoittavat sen materiaalit, rakenne ja tekniikka. MOSFETin toimintaaluetta on mahdollista parantaa vaihtoehtoisilla puolijohdemateriaaleilla. Transistorien tehokkuuden parantaminen ja tuotantokustannusten laskeminen kuitenkin vaatii transistorin rakenteen ja tekniikan muuttamista, koska MOSFETin teoreettinen
maksimitehokkuus on likimain saavutettu.
Tässä tutkielmassa perehdytään transistorien kehitykseen, MOSFETin toimintaperiaattesseen sekä esitellään joitakin tärkeimpiä MOSFETin vaihtoehtoisia puolijohdemateriaaleja ja kanavatransistorin tekniikoita.